Компания Eblana Photonics производит лазерные диоды по своей запатентованной технологии DM-technology, благодаря которой возможно перестраивать длину волны лазерного диода с точностью до 2 нм. Применяемые технологии позволяют достигать одномодового излучения в узком диапазоне и высокого коэффициента подавления боковых мод. По сравнению с аналогичными моделями других производителей, лазерные диоды Eblana Photonics имеют более привлекательную цену и уникальные технические характеристики.
Лазерный диод работает в диапазоне излучения 2049-2053 нм. Высокомощные лазерные диоды EP2051-DMH-B идеально подходят для мощных лазерных систем, высокочувствительных датчиков углекислого газа СО2, могут использоваться в качестве лазеров накачки, а также для волоконно-оптической связи по технологии WDW (мультиплексирование с разделением волн)
График 1. Спектр излучения лазерного диода при температуре 25°С

Мощность, дБ
Длина волны, нм
График 2. Выходная мощность лазерного излучения как функция от величины тока

Мощность, мВт
Ток, мА
ЭЛЕКТРО-ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА (Т=25°С)
|
Параметры
|
Обозначение
|
Мин. значение
|
Сред. значение
|
Макс. значение
|
Ед. измерения
|
|
Диапазон длин волн
|
λ
|
2049
|
2051
|
2053
|
нм
|
|
Допуск по длине волны
|
λspec
|
Λ-2
|
Λ
|
Λ+2
|
нм
|
|
Коэффициент подавления боковых мод
|
SMSR
|
30
|
35
|
-
|
дБ
|
|
Пороговый ток
|
Ith
|
-
|
30
|
50
|
мА
|
|
Выходная мощность в волокне
|
Pf
|
|
10
|
-
|
мВт
|
|
Ширина линии излучения
|
Δf
|
-
|
2
|
-
|
МГц
|
|
Коэффициент температурной подстройки
|
Tλ
|
-
|
0,1
|
-
|
нм/°С
|
|
Коэффициент токовой подстройки
|
Iλ
|
-
|
3
|
-
|
пм/°С
|
|
Дифференциальный КПД
|
SE
|
0,04
|
0,06
|
-
|
мВт/мА
|
|
Сопротивление термистора
|
RT
|
9,5
|
10
|
10,5
|
кОм
|
|
Температурный коэффициент термистора
|
C
|
-
|
-4,4
|
-
|
%/°С
|
МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ
|
Параметры
|
Обозначение
|
Мин. значение
|
Макс. значение
|
Ед. измерения
|
|
Рабочий ток
|
If
|
-
|
200
|
мА
|
|
Рабочее напряжение
|
Vf
|
-
|
2,5
|
В
|
|
Ток элемента Пельтье
|
ITEC
|
-
|
1,2
|
А
|
|
Обратное напряжение лазерного диода
|
Vr
|
-
|
2,0
|
В
|
|
Температура корпуса
|
TCase
|
-20
|
65
|
°С
|
|
Температура чипа подкачки
|
TSub
|
0
|
50
|
°С
|
|
Температура хранения
|
Tstorage
|
-40
|
85
|
°С
|
КОРПУС
Лазерные диоды EP2051-DMH-B выпускаются в 14-пиновом корпусе тип «Бабочка», ТО-39 с температурным контроллером, ТО-56, DX1 с драйвером и температурным контроллером