Лазерные диоды Eblana Photonics EP1530-FP-B01-FA работают на длине волны 1530 нм. Лазерный диод EP1530-FP-B01-FA генерирует стабильное излучение высокой точности с очень узкой шириной излучения. Компания Eblana Photonics производит лазерные диоды по своей запатентованной технологии DM-technology, благодаря которой возможно перестраивать длину волны лазерного диода с точностью до 2 нм. Применяемые технологии позволяют достигать одномодового излучения в узком диапазоне и высокого коэффициента подавления боковых мод.

График 1. Спектр излучения лазерного диода при температуре 25°С

Мощность, дБ
Длина волны, нм

График 2. Выходная мощность лазерного излучения как функция от величины тока

Мощность, мВт
Ток, мА

ЭЛЕКТРО-ОПТИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛАЗЕРНОГО ДИОДА (Т=25°С)

Параметры	Обозначение	Мин. значение	Сред. значение	Макс. значение	Ед. измерения
Диапазон длин волн	λ	1530	1550	1570	нм
Допуск по длине волны	λspec	Λ-1	Λ	Λ+1	нм
Коэффициент подавления боковых мод	SMSR	30	40	-	дБ
Пороговый ток	Ith	-	10	20	мА
Выходная мощность в волокне	Pf	10	13	16	мВт
Ширина линии излучения	Δf	-	400	-	кГц
Коэффициент температурной подстройки	Tλ	-	0,5	-	нм/°С
Коэффициент токовой подстройки	Iλ	-	0,01	-	пм/°С
Дифференциальный КПД	SE	0,2	0,3	-	мВт/мА
Сопротивление термистора	RT	9,5	10	10,5	кОм
Температурный коэффициент термистора	C	-	-4,4	-	%/°С

МАКСИМАЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ ЗНАЧЕНИЯ

Параметры	Обозначение	Мин. значение	Макс. значение	Ед. измерения
Рабочий ток	If	-	180	мА
Рабочее напряжение	Vf	-	2	В
Ток элемента Пельтье	ITEC	-	1,2	А
Обратное напряжение лазерного диода	Vr	-	2	В
Обратное напряжение фотодиода	Vrev	-	20	В
Температура корпуса	TCase	-20	65	°С
Температура чипа подкачки	TSub	0	50	°С
Температура хранения	Tstorage	-40	85	°С

Срок поставки: 20 дней

Модель	Корпус	Цена	Количество	Купить
EP1530-FP-B01-FA	14-Pin Butterfly	По запросу

Отзыв

Зарегистрируйтесь, чтобы создать отзыв.

Категории товаров

Лазерные диоды высокой мощности для систем обнаружения углекислого газа СО2, модель EP1530-FP-B01-FA

Категории товаров

Будьте с нами на связи