Высокая яркость, высокое качество и высокая надежность являются основой наших продуктов.  Лазерные диоды мощностью 808 нм 70 мВт обеспечивают выходную мощность до 70 мВт от одномодового волокна.  В нашем производственном объекте, основанном в США, имеется современное оборудование MOCVD для Epi Wafer Growth, мы можем выращивать наши собственные одномодовые или многомодовые пластины для удовлетворения любых потребностей лазера в диапозоне 780 и 1080 нм.  Наш дизайн лазерных чипов торговой марки предлагает длительный срок службы, что делает наши чипы одними из самых надежных в отрасли сегодня.